丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀產(chǎn)品介紹

BeNano 90 Zeta 納米粒度及 Zeta電位分析儀 是 BeNano 90 + BeNano Zeta 二合一的光學(xué)檢測系統(tǒng)。該系統(tǒng)中集成了動態(tài)光散 DLS、電泳光散射 ELS 和靜態(tài)光散射技術(shù) SLS，可以準(zhǔn)確的檢測顆粒的粒徑及粒徑分布，Zeta 電位，高分子和蛋白體系的分子量信息等參數(shù)，可廣泛的應(yīng)用于化學(xué)、化工、生物、制藥、食品、材料等領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究和質(zhì)量分析與控制。

丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀儀器特點(diǎn)：

高速測試能力 更快的測試速度，所有結(jié)果可以隨后編輯處理，最高檢測 速度0.5秒一個結(jié)果 

高性能固體激光器光源 高功率、穩(wěn)定性、長壽命、低維護(hù)

智能光源能量調(diào)節(jié) 根據(jù)信噪比，軟件智能控制光源能量 

功能強(qiáng)大的相關(guān)計算模式 快、中、慢多模式相關(guān)器，最快25ns采樣，寬線性范圍

光纖檢測系統(tǒng) 高靈敏度，有效增加信噪比

相位分析光散射 準(zhǔn)確檢測低電泳遷移率樣品的Zeta電位 

可拋棄毛細(xì)管電極的Zeta電位測試重復(fù)性，避免交叉污染

毛細(xì)管極微量粒徑池 3-5μL極微量樣品檢測和更好的大顆粒測試質(zhì)量

智能結(jié)果判斷系統(tǒng) 智能辨別信號質(zhì)量、消除隨機(jī)事件影響 

寬泛的溫度控制范圍 -15℃ - 110℃ 溫控范圍，具有溫度趨勢測試能力

高穩(wěn)定性設(shè)計 結(jié)果重復(fù)性高，不需日常光路維護(hù) 

靈活的動態(tài)計算模式 多種計算模型選擇涵蓋科研和應(yīng)用領(lǐng)域

丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀基本性能指標(biāo)

粒徑檢測

Zeta電位測試

分子量測試

微流變測試

折光率和粘度測試

趨勢測試

系統(tǒng)參數(shù)

軟件

丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀檢測參數(shù)

●顆粒體系的光強(qiáng)、體積、面積和數(shù)量分布

●顆粒體系的 Zeta 電位及其分布

●分子量

●分布系數(shù) PD.I

●擴(kuò)散系數(shù) D

●流體力學(xué)直徑 DH

●顆粒間相互作用力因子 kD

●溶液粘度

丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀檢測技術(shù)

●動態(tài)光散射

●電泳光散射

●相位分析光散射

●靜態(tài)光散射

動態(tài)光散射微流變應(yīng)用領(lǐng)域及其適用體系

動態(tài)光散射微流變技術(shù)“DLS Microrheology”是通 過動態(tài)光散射得到示蹤粒子的均方位移 ????? 2 ???? 進(jìn)而得到與機(jī)械流變技術(shù)互補(bǔ)的溶液的流變學(xué) 信息的光學(xué)技術(shù)。 測試過程中在研究體系中加入已知粒徑的膠體 顆粒作為示蹤粒子，顆粒在熱布朗運(yùn)動行為與 溶液環(huán)境的粘彈性性質(zhì)相關(guān)。從動態(tài)光散射測 試結(jié)果中解析出示蹤粒子的均方位移MSD，通 過廣義斯托克斯-愛因斯坦方程得到粘彈性體系 中的粘度、模量和蠕變信息。

動態(tài)光散射微流變

? 通過檢測已知粒徑的熱布朗運(yùn)動來研究流 變行為

? 同時得到所有頻率下的流變行為 

? 通過示蹤粒子施加低應(yīng)力

? 微升級別樣品量

? 結(jié)果與機(jī)械流變技術(shù)具有互補(bǔ)性

應(yīng)用領(lǐng)域

高分子溶液

蛋白質(zhì)溶液 

凝膠體系

電泳光散射應(yīng)用領(lǐng)域及其適用體系

分散在液體中的顆粒往往在表面攜帶一 定量電荷，這些電荷會使顆粒在溶液中 形成一個超過顆粒表面界限的雙電層。 顆粒的電勢在顆粒的表面最大，稱作表 面電位（surface potential），在嚴(yán)密電位 層 的 電 位 稱 作 嚴(yán) 密 層 電 位 （ s t e r n potential），在顆粒的滑移層的位置的電 勢值稱作Zeta電位。顆粒的Zeta電位與顆 粒之間的相互作用力息息相關(guān)，較高的 Zeta電位有利于防止顆粒團(tuán)聚，維持體系 的穩(wěn)定性。 電泳光散射ELS技術(shù)是一種光學(xué)的測試技 術(shù)，通過檢測顆粒電泳運(yùn)動產(chǎn)生的散射 光的多普勒頻移，進(jìn)而分析原始的光學(xué) 信號得到顆粒的電泳速度信息，由亨利 方程建立起的顆粒電泳速度和Zeta電位的 關(guān)系最終得到顆粒在當(dāng)前體系中Zeta電位 ????和Zeta電位分布信息。

高分子、膠體、乳液、生物大分子、水煤漿、蛋白、抗原、抗體、納米金屬/非金屬顆粒等等體系 的Zeta電位及其分布，電泳遷移率及其分布 

化學(xué)、化工、生物、食品、藥品、水處理、環(huán)境保護(hù)、磨料等等行業(yè)

產(chǎn)品的穩(wěn)定性研究和監(jiān)控 

表面電性能和表面改性修飾

丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀典型應(yīng)用 – 電泳光散射

顆粒的穩(wěn)定性 Zeta電位與顆粒體系的穩(wěn)定性緊密相關(guān)。較高的 Zeta電位下，顆粒之間相互作用力較強(qiáng)，體系處 于一個比較穩(wěn)定的狀態(tài)，而較低的Zeta電位下， 顆粒之間排斥力較弱，顆粒易于團(tuán)聚、絮凝，體 系的穩(wěn)定性較差。主要影響Zeta電位的因素包括 溶液體系的pH、離子強(qiáng)度（鹽濃度）和小分子添 加物的濃度。 分散液環(huán)境的pH是影響顆粒Zeta電位的重要因素 之一。通常條件下，pH越低，顆粒表面越傾向于 帶正電，pH越高，顆粒表面越傾向于帶負(fù)電。需 要注意的是，即使是化學(xué)組成相同的顆粒，如果 來源不同，在相同的環(huán)境下，其電位也有可能具 有差別。 分散液的離子強(qiáng)度也是影響顆粒Zeta電位的 重要影響因素之一。通常條件下，分散液離 子強(qiáng)度越高，對于顆粒電勢的屏蔽作用越強(qiáng)， 顆粒的Zeta電位絕對值越向零趨近，顆粒在 電場中的電泳遷移率越小。需要注意的是， 有些離子可以在顆粒表面定向的吸附，這會 額外的增加顆粒表面的電荷分布數(shù)量。 

丹東百特BeNano 90 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀軟件 – 研究級光散射軟件

BeNano 系列納米粒度電位儀軟件為用戶 提供友好的中文和英 文界面，提供結(jié)果預(yù)覽和多個專項(xiàng)報告頁。

動態(tài)光散射 

? 智能篩選刪除不合格數(shù)據(jù) 

? 自動設(shè)定光強(qiáng)和測試時間

? 提供Z-均粒徑、PDI、粒徑分布信息、擴(kuò)散系 數(shù)、顆粒相互作用力因子等等結(jié)果

? 濃度計算器提供適合的濃度范圍信息

? 粒徑分布算法 Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLS

電泳光散射 

? 相位分析光散射PALS 

? 預(yù)測試自動設(shè)定光強(qiáng)和測試時間

? 提供Zeta電位、Zeta電位分布等等結(jié)果

? 計算模型 Smoluchowski Hückel 用戶自定義